Verfahren zur Herstellung eines Arrays von Photodetektoren

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Arrays von Photodetektoren, bei dem ein Substrat mit einer vorderseitigen Schichtfolge, bestehend aus einer elektrisch leitfaehigen Schicht als gemeinsamer Elektrode, einer photoempfindlichen Schicht auf der elektrisch leitfaehigen Schicht, und mehreren elektrisch leitfaehigen Gebieten als Einzelelektroden auf der photoempfindlichen Schicht, bereitgestellt wird. Die Verdrahtung der elektrisch leitfaehigen Gebiete wird auf der Vorderseite durchgefuehrt. Anschliessend wird das Substrat mit der Schichtfolge und der Verdrahtung auf ein Traegersubstrat aufgebracht, wobei die Vorderseite des Substrates zum Traegersubstrat gerichtet ist. Danach wird das Substrat von der Rueckseite her geduennt, bis auf eine Dicke, die die Transmission von zu detektierender Strahlung zur photoempfindlichen Schicht von der Rueckseite her ermoeglicht. Auf diese Weise entsteht ein Array von Photodetektoren, bei dem die gemeinsame Elektrode auf der Seite des Strahlungseinfalls (hier: Rueckseite) liegt, so dass die Verdrahtung der Einzelelektroden nicht zur Abschattung der zu detektierenden Strahlung fuehrt.

DE 19838430 A UPAB: 20000613 NOVELTY - Photodetector array production, comprises forming a common electrode on the radiation incident back face so radiation is not obscured by front face wiring of individual electrodes. DETAILED DESCRIPTION - Photodetector array production comprises: (a) preparing a substrate (1) comprising a common electrode-forming conductive layer, a photosensitive layer (2) and individual electrode-forming conductive regions (4); (b) carrying out electrical contacting and wiring of the conductive regions (4); (c) applying the front face of the substrate (1) onto a carrier substrate (20); and (d) back face thinning the substrate (1) to allow radiation transmission from the back face to the photosensitive layer. An INDEPENDENT CLAIM is also included for a photodetector array produced by the above process. Preferred Features: The carrier substrate (20) consists of a semiconductor processing-compatible material, especially single crystal silicon, polysilicon, quartz or glass. USE - Especially for production of a photodiode array, e.g. for (magneto-)optical data storage (e.g. in CD, DVD or MO drives), optical data transmission through glass fiber networks, image processing, pattern recognition and optical spectroscopy. ADVANTAGE - The process allows simple wiring of a photodetector array without reduction of the optically active area or pixel density.