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Patent
Title
Verfahren zur Reparatur von Defekten auf Masken
Other Title
Process for the repair of defects on masks
Abstract
Bei einem Verfahren zur Reparatur von klaren und opaken Defekten auf Masken, insbesondere fuer die Roentgenstrahllithographie mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls wird auf die strukturierte Seite der Maske eine Hilfsschicht aufgebracht; danach werden die Hilfsschicht und die darunterliegenden Schichten an den Stellen der Defekte durch den fokussierten Strahl abgetragen, und an den Stellen klarer Defekte wird Absorbermaterial abgeschieden. Sodann wird an den Stellen opaker Defekte das Absorbermaterial weggesputtert, und zum Schluss wird die Hilfsschicht mit den Niederschlaegen, die bei der Bestrahlung entstanden sind, entfernt.
Inventor(s)
Betz, H.
Weigmann, U.
Burghause, H.
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Patent Number
1987-3705360
Publication Date
1989
Language
German