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  4. Reliability characteristics of vertical pin diodes on Si and GaN substrates for high-power applications
 
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2020
Master Thesis
Titel

Reliability characteristics of vertical pin diodes on Si and GaN substrates for high-power applications
ThesisNote
Freiburg/Brsg., Univ., Master Thesis, 2020
Author(s)
Gupta, Rohit
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Advisor
Ambacher, Oliver
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Driad, Rachid
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Quay, Rüdiger
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Verlagsort
Freiburg/Brsg.
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Language
English
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