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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente
 
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2020
Doctoral Thesis
Titel

Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente

Abstract
Pufferschichten haben bei elektronischen Bauelementen eine spannungsreduzierende und eine isolierende Eigenschaft. In der vorliegenden Dissertation wurden Übergitter, bestehend aus kurzperiodischen AlN und GaN Schichten, als Pufferschichten realisiert. Hergestellt, charakterisiert und simuliert wurden zwei unterschiedliche Variationen in der Periode des Übergitters. Die Simulation erfolgte anhand von Kapazitäts-Spannungs-Messungen.
ThesisNote
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2019
Author(s)
Manz, Christian
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Beteiligt
Bast, H.
Ambacher, Oliver
Fiederle, M.
Verlag
Fraunhofer Verlag
Verlagsort
Stuttgart
DOI
10.24406/publica-fhg-283008
File(s)
N-577649.pdf (14.55 MB)
Language
German
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Tags
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  • Halbleiter, Transisto...

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