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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Laser-ยต-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen
 
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2013
Doctoral Thesis
Title

Laser-ยต-Bearbeitung von GaN-basierten Leuchtdioden mit ultrakurzen Laserpulsen

Abstract
Die vorliegende Arbeit beschรคftigt sich mit der Laserbearbeitung an GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) mit ultrakurzen Pulsen im ultravioletten Spektralbereich. Seit einigen Jahren sind Lasersysteme verfรผgbar, die Pulse im Pikosekundenbereich emittieren und aufgrund ihrer hohen Pulsenergie, Repetitionsrate und Zuverlรคssigkeit eine rasante Verbreitung im industriellen Umfeld erfahren. Durch die kurze Pulsdauer ergeben sich prinzipiell zwei Vorteile: Die thermische Schรคdigung des Materials ist deutlich geringer, wodurch die Prรคzision gesteigert werden kann. Zusรคtzlich kann durch die nichtlineare Wechselwirkung der intensiven Laserstrahlung mit der Materie annรคhernd jedes Material, auch transparente Medien, bearbeitet werden. Die Arbeit behandelt sowohl die Planung und den Aufbau einer Laser-ยต-Bearbeitungsanlage, als auch die Entwicklung von Laserbearbeitungsverfahren zur Realisierung GaN-basierter LEDs, ohne dabei auf konventionelle Lithographie und trockenchemische ร„tzverfahren zurรผckzugreifen. Da es sich bei der Laserbearbeitung um ein direktgeschriebenes Verfahren handelt, eignet sich diese Methode besonders gut fรผr die Prototypenentwicklung und die Herstellung kundenspezifischer Formen.
Thesis Note
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2013
Author(s)
Moser, R.
Fraunhofer-Institut fรผr Angewandte Festkรถrperphysik IAF  
Person Involved
Schwarz, U.T.
Wallrabe, U.
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
File(s)
Download (19.92 MB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-279795
Language
German
Fraunhofer-Institut fรผr Angewandte Festkรถrperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Angewandte Forschung

  • applied research

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