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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
 
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2011
Doctoral Thesis
Title

Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)

Abstract
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.
Thesis Note
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2011
Author(s)
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
DOI
10.24406/publica-fhg-279041
File(s)
001.pdf (10.7 MB)
Rights
Under Copyright
Language
German
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • Halbleiter mit grosser Bandlücke

  • Leistungselektronik

  • Epitaxie

  • Kristalldefekt

  • Defektcharakterisierung

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