Modellierung und Simulation bei Mask Aligner Lithographie (Source-Mask Optimization)

MO Exposure Optics, einen neue Beleuchtungsoptik für Mask Aligner, ermöglicht es ein nahezu beliebiges Winkelspektrum des Beleuchtungslichtes (Customized Illumination) zu erzeugen und damit die Auflösung der Lithographie gezielt zu verbessern. Eine weitere Verbesserung lässt sich durch Optical Proximity Correction (OPC), d.h. eine gezielte Optimierung der Ecken und Kanten der Maskenstrukturen und dem Hinzufügen von sogenannten Sub Resolution Assist Features (SRAFs) erreichen. Die Kombination von beiden Technologien wird als Source-Mask Optimization (SMO) bezeichnet. Diese aus dem Front-End (DUV Stepper, Scanner) wohl bekannte Technologie steht nun auch für Mask Aligner Lithographie zur Verfügung. Grundvoraussetzung für eine erfolgreiche Umsetzung in die Produktion ist eine vollständige Modellierung und Simulation der gesamten Prozesskette von der Beleuchtung bis zum Photoresist. Diese Werkzeuge für eine "holistische" Lithographie im Mask Aligner sind nun vorhanden. Simulation und experimentelle Ergebnisse werden verglichen. Im Ausblick werden weiterführende Lithographiemethoden wie Grauwert- Pinhole- und Talbotlithographie vorgestellt.