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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Gate-recessed AlGaN/GaN based enhancement-mode high electron mobility transistors for high frequency operation
 
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2009
Journal Article
Titel

Gate-recessed AlGaN/GaN based enhancement-mode high electron mobility transistors for high frequency operation
Alternative
Gate-Recess AlGaN/GaN basierte enhancement-mode High Electron Mobility Transistoren für Hochfrequenzanwendungen
Author(s)
Maroldt, S.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Haupt, C.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Pletschen, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Müller, S.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Quay, Rüdiger orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Ambacher, O.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Schippel, C.
Schwierz, F.
Zeitschrift
Japanese journal of applied physics
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DOI
10.1143/JJAP.48.04C083
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Tags

  • GaN

  • E-HEMT

  • high transconductance

  • hohe Steilheit

  • efficiency

  • Effizienz

  • microwave power amplifier

  • Mikrowellen-Leistungsverstärker
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