TEM-Zielpräparation unter REM-Beobachtung mittels Zweistrahl-FIB

Die Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) ist eine wichtige Untersuchungsmethode und wird industriell zunehmend für die Charakterisierung der stetig kleiner werdenden Strukturen mikroelektronischer Bauelemente eingesetzt. Die dafür notwendige Zielpräparation wird im wesentlichen mittels fokussierender Ionenstrahltechnik (focused ion beam, FIB) durchgeführt, wobei die Anforderungen an Präzision und Qualität der hergestellten TEM-Proben ständig wachsen. Insbesondere spezielle TEM-Techniken, wie Elektronenenergieverlustspektroskopie (electron energy loss spectroscopy, EELS) und höchstauflösende TEM aber auch scanning-TEM (STEM) im Rasterelektronenmikroskop (REM) erfordern geringste Probendicken bei minimaler FIB-Strahlschädigung. Mit der Möglichkeit einer REM-Beobachtung der FIB-Bearbeitung in modernen Zweistrahl-FIB-Anlagen können TEM-Proben noch präziser als bisher zielpräpariert werden.

Transmission electron microscopy (TEM) is an important examination method which is increasingly employed industrially to characterize the structures of microelectronic modules which become smaller and smaller. The target preparation that this requires is substantially performed by means of a focused ion beam technique (FIB) in which the demands made to the precision and quality of the TEM samples obtained grows continuously. In particular, it is specific TEM techniques such as electron energy loss spectroscopy, EELS and high-resolution TEM, but also scanning TEM (STEM) in a scanning electron microscope (SEM) which necessitate minimal sample thicknesses at a minimal damage caused by FIB irradiation. Since FIB processing in advanced double-beam workstations can be watched by SEM it becomes now possible to prepare TEM samples even more precisely than this has been done hitherto.