Grenzflächen-optimierte Mo/Si Multischichten als Reflektoren für den EUV Spektralbereich

Für die EUV-Lithographie, die als aussichtsreichstes Verfahren für die Herstellung von Halbleiterstrukturen unterhalb von 50 nm gilt, kommen reflektierende Multischichten als optische Elemente zum Einsatz. Diese müssen eine möglichst hohe Reflektivität aufweisen, da diese die Effizienz des Verfahrens und damit den Durchsatz einer zukünftigen Chip-Fabrik maßgeblich bestimmt. In dieser Arbeit werden Untersuchungen zur Grenzflächenbeschaffenheit von Mo/Si Multischichten, die mittels Magnetron Sputter Deposition hergestellt wurden, vorgestellt. Ausgehend vom Zweikomponentigen Mo/Si-System, bei dem vorrangig der Einfluss der Abscheidebedingungen auf die Grenzflächenrauhigkeit betrachtet wird, gelang es, durch den Einbau von dünnsten Barriereschichten auch die Grenzflächeninterdiffusion zu reduzieren. Im reinen Mo/Si System ist vor allem ein niedriger Ar-Sputtergasdruck wichtig, um glatte Grenzflächen zu erzeugen. Die Verringerung der Interdiffusion der Mo- und Si-Atome kann durch den Einbau von C- und B4C-Barriereschichten geeigneter Dicke erreicht werden. Als Ergebnis der Untersuchungen wurden Mo/Si Multischichten mit momentan den weltweit höchsten EUV-Reflektivitäten präpariert: REUV=70.1% (λ =13.3 nm, α =1.5°), REUV=71.4% (λ =12.5 nm, α =22.5°).