Neue Technologien fuer hoechstintegrierte Schaltkreise

Die diskutierten vollisolierten Schaltkreise ermoeglichen im Vergleich zu derzeitigen Schaltkreisen erhoehte Packungsdichten und Schaltgeschwindigkeiten bei vollstaendigem Vermeiden des latch up-Effektes und stark reduzierter soft error-Empfindlichkeit. Die industrielle Anwendung ist durch die Entwicklung von Hochstromimplantationsanlagen fuer die naechste Zeit zu erwarten. Eine Reihe von anderen Herstellungsverfahren erscheint vielversprechend, erfordert aber noch einen hohen Entwicklungsaufwand. Dreidimensionale Schaltkreise versprechen noch wesentlich hoehere Packungsdichten und groessere Schaltgeschwindigkeiten sowie ebenfalls latch up-Freiheit und reduzierte soft errors, aber darueber hinaus die Moeglichkeit, multifunktionale Schaltkreise zu realisieren und noch viele ungeahnte Moeglichkeiten bei der Ausnuetzung der dritten Dimension in der Schaltungstechnik. Mit Hilfe fokussierter Ionenstrahlen laesst sich eine Strukturaufloesung bis in den Nanometerbereich und damit bis hin zu d en physikalischen Grenzen erreichen. Dies gilt sowohl fuer die Ionenstrahllithographie wie auch fuer die direkte Implantation von Dotierungsstrukturen. Durch Sputteraetzen lassen sich darueber hinaus Strukturen mit entsprechenden Dimensionen herstellen und insbesondere Masken fuer die Roentgenlithographie reparieren.