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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Optically pumped (AlGaIn)(AsSb) semiconductor disk laser employing a dual-chip cavity
 
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2008
Conference Paper
Title

Optically pumped (AlGaIn)(AsSb) semiconductor disk laser employing a dual-chip cavity

Other Title
Optisch gepumpter Halbleiter-Scheibenlaser mit einem Zwei-Chip-Resonator im Materialsystem (AlGaIn)(AsSb)
Abstract
A GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser with two separately pumped chips is presented. With this dual-chip configuration, an output power of 3.3 W at 2.25 µm wavelength was recorded for a heat sink temperature of 20°C.
Author(s)
Rösener, B.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Schulz, N.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rattunde, Marcel  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Moser, R.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Manz, Christian  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Wagner, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, LEOS 2008. CD-ROM  
Conference
IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS Annual Meeting) 2008  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • infrared laser

  • Infrarot-Laser

  • semiconductor laser

  • Halbleiterlaser

  • semiconductor disc laser

  • Halbleiter-Scheibenlaser

  • surface emitting laser

  • oberflächenemittierender Laser

  • VECSEL

  • GaSb

  • (AlGaIn)(AsSb)

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