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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. 8.2 GHz bandwidth monolithic integrated optoelectronic receiver using MSM photodiode and 0.5 mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs.
 
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1991
Journal Article
Title

8.2 GHz bandwidth monolithic integrated optoelectronic receiver using MSM photodiode and 0.5 mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs.

Other Title
Monolithisch integrierter optoelektronischer Empfänger mit einer Bandbreite von 8.2 GHz basierend auf einer MSM-Photodiode und 0.5 mym-Recessed-Gate AlGaAs/GaAs HEMTs
Abstract
An 8.2 GHz bandwidth monolithic optoelectronic receiver consisting of an MSM photodiode, a transimpedance amplifier, and a 50 omega output buffer has been fabricated using an enhancement/depletion 0.5 mym recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMT process. Successful operation at data rates up to 10 Gbit/s has been demonstrated.
Author(s)
Hurm, V.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Rosenzweig, Josef  
Ludwig, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Benz, W.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Huelsmann, A.
Kaufel, G.
Raynor, B.
Schneider, J.
Berroth, M.
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Journal
Electronics Letters  
DOI
10.1049/el:19910456
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Empfänger

  • HEMT

  • optical communication

  • optische Kommunikation

  • optoelectronics

  • Optoelektronik

  • photodiode

  • receiver

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