Schnelle thermische Oxidation von Silizium in N2O-Atmosphäre
Abstract
Mit Hilfe eines schellen thermischen Oxidationsprozesses von Silizium in N2O-Atmosphäre wurden ultradünne, leicht nitridierte SiO2-Schichten hergestellt. Dabei konnten erstmals Dickenuniformitäten im 2 %-Bereich erzielt werden. Oberflächenanalytische Untersuchungen ergaben eine Stickstoffkonzentration um 7 % an der Si/SiO2-Grenzfläche und eine wesentlich geringere Konzentration im SiO2-Volumen. Unter elektrischem Streß zeigten MOS (Metal Oxide Semiconductor)-Kondensatoren mit nitridiertem Gateoxid eine hohe Zuverlässigkeit.
