• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Konferenzschrift
  4. Schnelle thermische Oxidation von Silizium in N2O-Atmosphäre
 
  • Details
  • Full
Options
1993
Conference Paper
Title

Schnelle thermische Oxidation von Silizium in N2O-Atmosphäre

Abstract
Mit Hilfe eines schellen thermischen Oxidationsprozesses von Silizium in N2O-Atmosphäre wurden ultradünne, leicht nitridierte SiO2-Schichten hergestellt. Dabei konnten erstmals Dickenuniformitäten im 2 %-Bereich erzielt werden. Oberflächenanalytische Untersuchungen ergaben eine Stickstoffkonzentration um 7 % an der Si/SiO2-Grenzfläche und eine wesentlich geringere Konzentration im SiO2-Volumen. Unter elektrischem Streß zeigten MOS (Metal Oxide Semiconductor)-Kondensatoren mit nitridiertem Gateoxid eine hohe Zuverlässigkeit.
Author(s)
Lange, P.
Hartmannsgruber, E.
Naumann, F.
Windbracke, W.
Mainwork
Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung 1993  
Conference
Fachtagung Mikroelektronik 1993  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT  
  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024