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Abschlussarbeit
Charakterisierung und Modellierung des 1/f-Rauschverhaltens von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
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2000
Diploma Thesis
Title
Charakterisierung und Modellierung des 1/f-Rauschverhaltens von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Thesis Note
Offenburg, FH, Dipl.-Arb., 2000
Author(s)
Bea, T.
Publishing Place
Offenburg
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF