Großflächiges plasmachemisches Ätzen bei Atmosphärendruck

Folienpräsentation. Kontinuierlich arbeitende Atmosphärendruckprozesse bieten Vorteile im reduzierten Waferhandling durch in-line-Verfahren, einen hohen Durchsatz, geringe Anlagengröße, niedrige Investkosten und die Vermeidung nasschemischer Prozesse. Das plasmachemische Ätzen erfolgt mit linear ausgedehntem Gleichspannungsbogen und verschiedenen Plasmagasen (N2, O2, NH3, H2+Ar) bis zu 250 mm Breite. Der Ätzreaktor ist beschrieben; er erlaubt eine Ätzbreite von 156 mm (6' Wafer), eine regelbare Substrattemperatur von 100 - 400 Grad C bei einer statischen Ätzrate von 600 nm/s. Potentielle Einsatzmöglichkeiten sind die c-Si-Solarzellenfertigung, das Glätten von Si-Oberflächen bei Sägeschäden und zum Entfernen der Pyramidenstruktur sowie zur Oberflächentexturierung von Si-Wafern. Atmosphärendruck-Plasmaverfahren sind auch in der Dünnschicht-Solarzellenfertigung und in der Texturierung von SnO2:F-Schichten einsetzbar. Die Überwachung der Ätzabgase erfolgt mit FTIR.