Finite Boxes - Ein universelles Diskretisierungsverfahren für die Simulation beliebiger Halbleiterstrukturen

In diesem Beitrag soll über die Erfahrungen mit dem Diskretisierungsverfahren "Finite Boxes" berichtet werden. Das Verfahren wurde eingesetzt bei der Berechnung zweidimensionaler Ladungsträgerprofile in beliebig geformten Halbleiterstrukturen. Dazu ist die simultane Lösung der Poisson-Gleichung für Halbleiter und der Laplace-Gleichung für Isolatoren mit beliebig geformten Begrenzungslinien notwendig. Es wird hier nun ein Verfahren zur Erzeugung von Finite Box-Gittern für die obengenannte Problemstellung vorgestellt. Die Kriterien für die Gitterverfeinerung und die Vorgehensweise bei adaptiver Gitteranpassung werden erläutert. Abschließend werden Simulationsergebnisse präsentiert.