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Fraunhofer-Gesellschaft
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  3. Konferenzschrift
  4. Imaging defect luminescence measurements of 4H-SiC by UV-PL
 
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2015
Presentation
Title

Imaging defect luminescence measurements of 4H-SiC by UV-PL

Title Supplement
Presentation held at DKT 2015, March 4-6, 2015, Frankfurt a. Main
Other Title
Abbildende Defektlumineszenz an 4H-SiC durch ultraviolette Photolumineszenz
Author(s)
Kaminzky, Daniel
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Roßhirt, Katharina
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Friedrich, Jochen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Oppel, Steffen
Intego Vision Systeme GmbH
Schneider, Adrian
Intego Vision Systeme GmbH
Schütz, Michael
Intego Vision Systeme GmbH
Project(s)
SiC-WinS
Funder
Bayerische Forschungsstiftung BFS  
Conference
Deutsche Kristallzüchtungstagung (DKT) 2015  
DOI
10.24406/publica-fhg-388493
File(s)
N-345093.pdf (1.26 MB)
Rights
Under Copyright
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • semiconductor

  • silicon carbide

  • 4H-SiC

  • structural defects

  • dislocations

  • photoluminescence

  • UV-PL

  • DLS

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