• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Artikel
  4. Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.
 
  • Details
  • Full
Options
1983
Journal Article
Title

Evidence of amphoteric behavior of Si in VPE InP.

Other Title
Nachweis von amphoterischem Verhalten des Si in InP, das mit Dampfphasenepitaxie hergestellt wurde
Author(s)
Pomrenke, G.S.
Journal
Journal of Crystal Growth  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Akzeptor

  • Dampfphasenepitaxie

  • Donator

  • Eindringtiefe

  • Indiumphosphid

  • Ionisationsenergie

  • Photolumineszenz

  • Selbstkompensation

  • Silizium

  • Übergang

  • Ultraviolettanregung

  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024