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Abschlussarbeit
Optimierung, Herstellung und Charakterisierung von GaxIn1-xP/In0,25Ga0,75As/GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
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1996
Diploma Thesis
Title
Optimierung, Herstellung und Charakterisierung von GaxIn1-xP/In0,25Ga0,75As/GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Thesis Note
Ulm, Univ., Dipl.-Arb., 1996
Author(s)
Hilsenbeck, J.
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Keyword(s)
GaAs
MBE
MODFET