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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Optimierung, Herstellung und Charakterisierung von GaxIn1-xP/In0,25Ga0,75As/GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
 
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1996
Diploma Thesis
Title

Optimierung, Herstellung und Charakterisierung von GaxIn1-xP/In0,25Ga0,75As/GaAs-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren

Thesis Note
Ulm, Univ., Dipl.-Arb., 1996
Author(s)
Hilsenbeck, J.
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • GaAs

  • MBE

  • MODFET

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