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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Impact of Al-ion implantation on the formation of deep defects in n-type 4H-SiC
 
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2018
Conference Paper
Titel

Impact of Al-ion implantation on the formation of deep defects in n-type 4H-SiC

Abstract
In this work, deep defects in an aluminum implanted 4H-SiC n-type epitaxy are discussed in dependence on following influencing factors: concentration of implanted aluminum, implantation energy, implantation at 500°C and at room temperature, as well as ascending or descending order of implantation energies during ion implantation using Gaussian profiles. The compensation ratio, which reaches values up to 90% of the implanted aluminum concentration, is determined by Hall Effect measurements. Compensating defect centers (Z1/2-, ONx-defects) are detected by Deep Level Transient Spectroscopy after high energy ion implantation using an energy filter, followed by an annealing and an oxidation process.
Author(s)
Weiße, Julietta
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Hauck, Martin
Lehrstuhl für Angewandte Physik, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Krieger, Michael
Lehrstuhl für Angewandte Physik, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Erlekampf, Jürgen
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Mitlehner, Heinz
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Bauer, Anton J.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Rommel, Mathias orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Häublein, Volker
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Erlbacher, Tobias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Csato, Constantin
mi2-Factory GmbH
Rüb, Michael
mi2-Factory GmbH
Akhmadaliev, Shavkat
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Frey, Lothar
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Hauptwerk
22nd International Conference on Ion Implantation Technology, IIT 2018. Proceedings
Funder
Deutsche Forschungsgemeinschaft DFG
Konferenz
International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) 2018
Thumbnail Image
DOI
10.1109/IIT.2018.8807980
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Tags
  • aluminum

  • high energy ion impla...

  • energy filter implant...

  • EFII

  • defect

  • compensation

  • deep level transient ...

  • DLTS

  • hall effect

  • 4H-SiC

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