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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Charakterisierung von Bulk-Punktdefekten in Si MOS-FET Strukturen mittels conductance-DLTS
 
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1990
Conference Proceeding
Title

Charakterisierung von Bulk-Punktdefekten in Si MOS-FET Strukturen mittels conductance-DLTS

Abstract
Zinnoxid ist ein bei Gassensorentwicklungen häufig verwendetes Material. Gasempfindliche und nicht-gasempfindliche Schichten konnten durch die Wahl der Parameter bei den reaktiven Sputtern und Tempern hergestellt werden und erlauben Rückschlüsse auf die Ursache der Gasempfindlichkeit und der mangelhaften Stabilität.
Author(s)
Lee, G.-Y.
Sigmund, H.
Conference
Arbeitskreis Punktdefekte in Silizium (Treffen) 1990  
Language
German
IFT  
Keyword(s)
  • Bulk-pointdefect

  • Bulk-Punktdefekt

  • conductance-DLTS

  • SOI-MOS-FET

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