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  4. Untersuchungen zum subkritischen Rißwachstum gebondeter Siliziumwafer
 
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1998
Conference Paper
Titel

Untersuchungen zum subkritischen Rißwachstum gebondeter Siliziumwafer

Abstract
In der vorliegenden Arbeit wurde erstmalig das Auftreten des subkritischen Rißwachstums bei wafergebondeten Siliziumbauteilen nachgewiesen. Die mit Hilfe eines für die Prüfungen an wafergebondeten Proben speziell angepaßten DCB-Testes ermittelten v(K)-Kurven lassen die Vermutung zu, daß der Prozeß der Spannungsrißkorrosion wesentlich durch die in der gebondeten Grenzfläche auftretenden Si-O-Bindungen bestimmt wird. Die Geschwindigkeit des Rißwachstums hängt dadurch von der durch die Vorbehandlung der Wafer vor dem Bonden und durch die Wärmebehandlung nach dem Bonden beeinflußten Mikrostruktur der Grenzfläche ab.
Author(s)
Bagdahn, J.
Katzer, D.
Petzold, M.
Hauptwerk
DVM-Arbeitskreis Bruchvorgänge. 30. Tagung 1998. Themenschwerpunkt: unterkritisches Rißwachstum
Konferenz
Deutscher Verband für Materialforschung und -prüfung, Arbeitskreis Bruchvorgänge (Tagung) 1998
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Language
German
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Fraunhofer-Institut für Werkstoffmechanik IWM
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