Untersuchungen zum subkritischen Rißwachstum gebondeter Siliziumwafer

In der vorliegenden Arbeit wurde erstmalig das Auftreten des subkritischen Rißwachstums bei wafergebondeten Siliziumbauteilen nachgewiesen. Die mit Hilfe eines für die Prüfungen an wafergebondeten Proben speziell angepaßten DCB-Testes ermittelten v(K)-Kurven lassen die Vermutung zu, daß der Prozeß der Spannungsrißkorrosion wesentlich durch die in der gebondeten Grenzfläche auftretenden Si-O-Bindungen bestimmt wird. Die Geschwindigkeit des Rißwachstums hängt dadurch von der durch die Vorbehandlung der Wafer vor dem Bonden und durch die Wärmebehandlung nach dem Bonden beeinflußten Mikrostruktur der Grenzfläche ab.