Diffundierter Sauerstoff als dominierender flacher Akzeptor in p-Typ Kupferiodid-Dünnfilmen

Die Langzeitstabilität des optisch transparenten p-Typ-Halbleiters Kupferiodid ist eine aktuelle Herausforderung, da die elektrische Leitfähigkeit von CuI-Dünnfilmen empfindlich auf Umgebungseinflüsse reagiert. Deckschichten aus Aluminiumoxid erhöhen die Stabilität beträchtlich. Systematische Untersuchungen von Al2O3/CuI-Heterostrukturen in Abhängigkeit der N2- oder O2-Partialdrücke bei der Oxid-Abscheidung zeigen, dass die elektrische Leitfähigkeit der CuI-Filme durch die Sauerstoff-Diffusion in Al2O3 und CuI bestimmt wird. Sauerstoff scheint somit als dominierender Akzeptor in CuI zu wirken. Die Diffusion des Umgebungs-Sauerstoffs in CuI wurde mittels des 18O-Isotopes verfolgt.

The long-term stability of the optically transparent p-type semiconductor copper iodide is a current challenge. The electrical conductivity of CuI thin films depends critically on the environmental impact. Al2O3 cappings enhance the stability considerably. Systematic studies on Al2O3/CuI heterostructures in dependence of the N2/O2 growth pressure show the electrical conductivity of the CuI films being determined by the oxygen diffusion through Al2O3 und CuI. Oxygen seems to be a dominating acceptor in CuI. We traced the diffusion of atmospheric oxygen into CuI with 18O isotopes.