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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Modulation doped inverted and normal GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures - influence of Si-segregation on the two-dimensional electron gas.
 
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1991
Journal Article
Title

Modulation doped inverted and normal GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures - influence of Si-segregation on the two-dimensional electron gas.

Other Title
Modulationsdotierte invertierte und normal GaAs/AlxGa1-xAs Heterostrukturen - Einfluß der Si-Segregation auf das zweidimensionale Elektronengas
Author(s)
Bachem, K.H.
Ganser, P.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Maier, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Journal
Journal of Crystal Growth  
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • electrical property

  • elektrische Eigenschaft

  • III-V Halbleiter

  • III-V semiconductors

  • MBE

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