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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Anisotropic electron mobilities of Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs high electron mobility transistor structures.
 
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1991
Journal Article
Title

Anisotropic electron mobilities of Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs high electron mobility transistor structures.

Other Title
Anisotrope Elektronenbeweglichkeit von Al0.3Ga0.7As/InxGa1-xAs/GaAs HEMT Strukturen
Author(s)
Schweizer, T.
Ganser, P.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Köhler, Klaus  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Journal
Semiconductor Science and Technology  
DOI
10.1088/0268-1242/6/5/007
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • anisotrope Elektronenbeweglichkeit

  • anisotropic electron mobility

  • III-V Halbleiter

  • III-V material properties

  • III-V Materialeigenschaft

  • III-V semiconductors

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