a-Si:H, a-SiO:H und mc-Si:H Schichten für Siliziumdünnschichtsolarzellen

Die Arbeit beschreibt die Abscheidung, Charakterisierung und Optimierung von amorphen und mikrokristallinen Siliziumschichten für die Dünnschichtphotovoltaik. Das Hauptziel der Arbeit ist die Entwicklung einer Absorberschicht aus amorphem Siliziumoxid mit einer Bandlücke von 2.0 eV. Um eine Bandlücke von 2.0 eV zu erreichen, muss die Absorberschicht mit einer hohen Sauerstoffkonzentration legiert werden. Dies führt zur Verschlechterung der elektronischen Eigenschaften der a-SiO:H Absorberschicht in Hinblick auf die photovoltaische Anwendung. Mittels Simulationen mit realen Eingabeparametern erfolgt anschließend die Evaluation der optimierten a-SiO:H Absorberschicht. Wenn die Bandlücke durch eine geringere Sauerstofflegierung auf Werte kleiner als 2.0 eV eingestellt wird, leiden die elektronischen Eigenschaften der a-SiO:H Absorberschicht und damit der Solarzellkenngrößen weniger.