Neuartiger Pd-Gate-Feldeffekt-Transistor zur Wasserstoffdetektion

Entwickelt wurde ein neuartiger Pd-Gate-MOSFET zur Wasserstoffdetektion. Der Herstellungsprozess zeichnet sich durch seine vollständige Kompatibilität mit einer Standard-0.5-Mikrometer-CMOS-Technologie aus. Dadurch wird eine äußerst preisgünstige Herstellung sowie die Integration von Auswerteelektronik in den Sensor-Chip möglich. Zielanwendungen für den Sensor liegen in der Sicherheitstechnik, z.B . der Leckageüberwachung. Der Sensor wurde bei verschiedenen Gasbeaufschlagungen (H2, H2O, N02, CO, CH4, H2S und NH3) charakterisiert. Eine - wenn auch geringe - Querempfindlichkeit konnte bei den Labormessungen nur auf Ammoniak und Schwefelwasserstoff beobachtet werden.