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  4. Entwicklung eines Herstellungsprozesses für niederohmige, vertikale Leistungs-MOS-Transistoren in Trenchtechnologie unter Verwendung von nur drei Lithographieschritten
 
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2000
Doctoral Thesis
Title

Entwicklung eines Herstellungsprozesses für niederohmige, vertikale Leistungs-MOS-Transistoren in Trenchtechnologie unter Verwendung von nur drei Lithographieschritten

Thesis Note
Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 2000
Author(s)
Wahl, Uwe
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS  
Publisher
Mensch & Buch Verlag  
Publishing Place
Berlin
Language
German
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS  
Keyword(s)
  • MOS-FET

  • Lithographie

  • Leistungstransistor

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