Rauscharme und strahlungsfeste JFET - CMOS Auslese-Verstärker

CMOS kompatible Bauelemente erweitern den Anwendungsbereich von CMOS-Schaltungen. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) im CMOS-Prozeß erlauben die Auslegung von Verstärkern mit verbessertem Signal-Rauschabstand. Die Unempfindlichkeit von JFET-Transistoren gegenüber radioaktiver Bestrahlung erlauben den Einsatz dieser JFET-CMOS-Verstärker in Bereichen, in denen die Verstärker unmittelbarer Strahlung ausgesetzt sind.