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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Rauscharme und strahlungsfeste JFET - CMOS Auslese-Verstärker
 
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1989
Conference Paper
Title

Rauscharme und strahlungsfeste JFET - CMOS Auslese-Verstärker

Abstract
CMOS kompatible Bauelemente erweitern den Anwendungsbereich von CMOS-Schaltungen. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) im CMOS-Prozeß erlauben die Auslegung von Verstärkern mit verbessertem Signal-Rauschabstand. Die Unempfindlichkeit von JFET-Transistoren gegenüber radioaktiver Bestrahlung erlauben den Einsatz dieser JFET-CMOS-Verstärker in Bereichen, in denen die Verstärker unmittelbarer Strahlung ausgesetzt sind.
Author(s)
Lutz, G.
Manfredi, P.F.
Buttler, W.
Vogt, H.
Mainwork
Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung  
Conference
Mikroelektronik 1989  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS  
Keyword(s)
  • CMOS kompatibler JFET

  • CMOS-Operationsverstärker

  • JFET-Verstärker

  • rauscharmer CMOS-Verstärker

  • Strahlungsfester Verstärker

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