Monolithisches IR-Sensorsystem in Siliziumtechnologie

Wir stellen ein IR-Sensorsystem vor, welches aus einer Strahlungsthermosäule, einem Chiptemperatursensor und signalverarbeitender Elektronik besteht. Das System wird in CMOS-Technologie auf SIMOX-Wafern (Separation by IMplanted Oxygen) hergestellt. Damit wird das Ziel verfolgt, kompakte IR-Sensorsysteme mit integrierten Funktionen für einen weiten Anwendungsbereich herzustellen, die sich durch technische Vorteile wie z. B. die räumliche Unabhängigkeit von externen elektronischen Komponenten und durch die kostengünstige Herstellung in einem CMOS-Batch-Prozeß auszeichnen. Die Verwendung von SIMOX-Wafern ermöglicht die Herstellung von dotierten einkristallinen Siliziumleitbahnen auf dünnen Membranen aus Siliziumoxid/Siliziumnitrid. Durch die damit erzielte Kombination des sehr großen Seebeckkoeffizienten von einkristallinem Silizium mit gut thermisch isolierenden Membranen können hochempfindliche Strahlungsthermosäulen hergestellt werden.