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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Determination of the band-edge offset in heterojunctions by electron beam induced current - GaAs/GaAlAs.
 
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1987
Journal Article
Title

Determination of the band-edge offset in heterojunctions by electron beam induced current - GaAs/GaAlAs.

Other Title
Bestimmung der Bandverschiebung in Doppelheterostrukturen durch elektronenstrahlinduzierten Strom - GaAs/GaAlAs
Abstract
Der durch einen Elektronenstrahl induzierte Strom (EBIC) wurde fuer eine GaAs/Ga tief 0,84 A1 tief 0,52 As-Heterogrenzflaeche als Funktion einer externen Vorspannung gemessen. Bei fehlender Grenzschichtladung wurde die Flachbandspannung gemessen und die Bandverschiebung ermittelt. Fuer die Valenzbandkante ergab sich eine Verschiebung von 5,5 meV/% Al. (IPM)
Author(s)
Eisenbeiss, A.
Heinrich, H.
Opschoor, J.
Tijburg, R.P.
Preier, H.M.
Fraunhofer-Institut für Physikalische Messtechnik IPM  
Journal
Applied Physics Letters  
DOI
10.1063/1.97787
Language
English
Fraunhofer-Institut für Physikalische Messtechnik IPM  
Keyword(s)
  • Bandverschiebung

  • Heterogrenzfläche

  • Strom(elektronenstrahlinduziert)

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