Determination of the band-edge offset in heterojunctions by electron beam induced current - GaAs/GaAlAs.
Alternative
Bestimmung der Bandverschiebung in Doppelheterostrukturen durch elektronenstrahlinduzierten Strom - GaAs/GaAlAs
Abstract
Der durch einen Elektronenstrahl induzierte Strom (EBIC) wurde fuer eine GaAs/Ga tief 0,84 A1 tief 0,52 As-Heterogrenzflaeche als Funktion einer externen Vorspannung gemessen. Bei fehlender Grenzschichtladung wurde die Flachbandspannung gemessen und die Bandverschiebung ermittelt. Fuer die Valenzbandkante ergab sich eine Verschiebung von 5,5 meV/% Al. (IPM)
