Untersuchung der Empfindlichkeit moderner selbstsperrender GaN-Leistungshalbleiter auf hochenergetische Neutronen

Selbstsperrende GaN HEMTs (HEMT: high electron-mobility transistor) werden einen hohen Stellenwert für die Mobilität, insbesondere auch für die „postfossile“ Bundeswehr, haben. Es wurden die ersten drei kommerziell verfügbaren Transistoren dieses Typs auf ihre Empfindlichkeit gegenüber Zerstörung durch hochenergetische Neutronen untersucht.