Herstellung eines piezoresistiven Drucksensors aus Siliziumcarbid mittels reaktiven Ionenätzen

In diesem Paper wird die Herstellung eines piezoresistiven Drucksensors aus Siliziumcarbid (SiC) beschrieben. Der Sensor verfügt über eine für hohe Temperaturen geeignete Metallisierungs auf Goldbasis und wurde auf einem 100 mm 4H-SiC- Wafer mit einer doppelten Epitaxieschicht hergestellt. Dabei werden aus der oberen Epitaxieschicht mittels reaktiven Ionenätzen (RIE) die Piezowiderstände strukturiert. Die untere Epitaxieschicht ist der oberen entgegengesetzt dotiert und bildet somit eine Isolationsschicht durch einen pn-Übergang. Die Membran wurde mit einem angepassten RIE Prozess hergestellt, mithilfe dessen Ätzraten von bis zu 4 µm/min erreicht wurden.