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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Untersuchung der Auflösungsgrenzen eines Variablen Formstrahlelektronenschreibers mit Hilfe chemisch verstärkter und nicht verstärkter Negativlacke
 
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2011
Doctoral Thesis
Title

Untersuchung der Auflösungsgrenzen eines Variablen Formstrahlelektronenschreibers mit Hilfe chemisch verstärkter und nicht verstärkter Negativlacke

Abstract
In der Elektronenstrahllithografie existieren die Belichtungskonzepte Gaussian-Beam und Variable-Shaped-Beam (VSB), die bisher auf Hochauflösung respektive Durchsatz optimiert sind. In dieser Arbeit wird der experimentelle Kreuzvergleich beider Belichtungskonzepte mit Hilfe chemisch verstärkter und nicht verstärkter Lacksysteme präsentiert. Als quantitativer Parameter wurde die Gesamtunschärfe eingeführt, die sich durch quadratische Addition der auflösungslimitierenden Fehlerquellen, also Coulomb-Wechselwirkungen (Strahlunschärfe), Lackprozess (Prozessunschärfe) und Proximity-Effekt (Streuunschärfe), ergibt. Grundlage ist die Anpassung oder Neuentwicklung spezieller Methoden wie Kontrast- und Basedosebestimmung, Doughnut-Test, Isofokal-Dosis-Methode für Linienbreiten und Linienrauheit sowie die Bestimmung der Gesamtunschärfe unter Variation des Fokus. Es wird demonstriert, dass sich mit einer kleineren Gesamtunschärfe die Auflösung dichter Linien verbessert. Der direkte Vergleich der Gesamtunschärfen beider Belichtungskonzepte wird durch die variable Strahlunschärfe bei VSB-Schreibern erschwert. Es wird gezeigt, dass die Prozessunschärfe den größten Anteil der Gesamtunschärfe stellt. Außerdem spielt die Streuunschärfe bei Lackdicken kleiner 100 nm und Beschleunigungsspannungen von 50 kV oder größer keine Rolle.
Thesis Note
Zugl.: Dresden, TU, Diss., 2010
Author(s)
Steidel, K.
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
DOI
10.24406/publica-fhg-278903
File(s)
001.pdf (5.54 MB)
Rights
Under Copyright
Language
German
CNT  
Keyword(s)
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  • Mikroelektronik

  • Nanoelektronik

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