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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Hochtemperaturtaugliche Mikrosystemkomponenten in SOI-Technologie
 
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1995
Conference Paper
Title

Hochtemperaturtaugliche Mikrosystemkomponenten in SOI-Technologie

Abstract
Durch den Einsatz der SIMOX-Technologie sind hochtemperaturtaugliche Schaltungen für den Einsatz bei Betriebstemperaturen bis 300øC möglich. Durch ein spezielles Transistor Layout werden außerdem Spannungsfestigkeiten bis zu einer Drain-Source-Spannung von 30V erreicht. Meßergebnisse an Zener-Dioden, Betriebsspannungsstabilisierung, Operationsverstärkern und einem Taktgenerator bei einer Betriebstemperatur von 300øC werden vorgestellt.
Author(s)
Verbeck, M.
Fiedler, H.-L.
Burbach, G.
Bahr, J.
Werner, R.
Zimmermann, C.
Mainwork
Mikroelektronik '95  
Conference
VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik (Fachtagung) 1995  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS  
Keyword(s)
  • Hochtemperaturtauglichkeit

  • Hochtemperaturtechnik

  • Mikrosystemkomponenten

  • Operationsverstärker

  • SIMOX-Technologie

  • Spannungsstabilisierung

  • Zener-Diode

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