Integration von HF-Bauelementen in einem CMOS-SIMOX-Prozeß

Die Verwendung von hochohmigen SIMOX-Substraten bietet die Möglichkeit der Herstellung von Transistoren und passiven Bauelementen für den HF- und Mikrowellenbereich in einer Technologie, die nur Standard-CMOS-Prozeßschritte benutzt. Durch systematische Minimierung der parasitären Kapazitäten und Zuleitungswiderstände sowie Kanallängen im Sub-Mikrometerbereich werden Transistoren großer Steilheit - geeignet für Signalfrequenzen bis in den Mikrowellenbereich - realisiert. Damit stellt die CMOS-Technologie auf hochohmigen SIMOX-Substraten im unteren Gigaherztbereich eine interessante Alternative zu den III/V-Technologien dar und bietet den Vorteil der Realisierung von VLSI-Schaltkreisen mit integrierten schnellen digitalen und HF-Funktionen in CMOS-Schaltungstechnik für die Anwendungsgebiete Mobil- und Satellitenfunk und schnelle ICs für die Computertechnik.