Silbergesinterte Flip-Chip-Kontaktierungen zur Realisierung von hochtemperaturfähigen Sensorsystemen

Das Ziel der vorliegenden Studie ist es ein Verständnis zu erlangen für Möglichkeiten und Grenzen bei der Anwendung der Silbersintertechnologie für Flip-Chip-Kontaktierungen im Bereich der Hochtemperatursensorik. Im Rahmen dessen wird untersucht, wie feinstrukturiert der Auftrag von Silbersinterpasten auf Keramiken mit relativ rauen Dickschichtenmetallsierungen realisiert werden kann. Weiterhin wird untersucht, wie gut die Anbindung auf für die Silbersintertechnologie eher unüblichen AgPt- bzw. Cu-Dickschichtmetallisierungen ist und ob bspw. die in der Leistungselektronik typischen Sinterparameter auch zur Kontaktierung von Flip-Chips angewendet werden können. Auch auf die Frage, welchen Einfluss eine thermische Auslagerung bei 200 °C auf silbergesinterte Strukturen haben kann, wird eingegangen.