Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
Alternative
Epitaxie und Charakterisierung von UV-Photodetektoren auf der Basis des AlGaN-Schichtsystems
Abstract
AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
