Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit einem Substrat (10) und einem darauf angeordnetem Schichtsystem (2), welches zumindest eine erste Schicht (21), eine zweite Schicht (22) und eine dritte Schicht (23) enthält, wobei die erste Schicht AlN enthält oder daraus besteht und die zweite Schicht eine binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung enthält, welche zumindest Ga und N enthält oder daraus besteht, wobei zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht eine Mehrzahl von ersten und zweiten Zwischenschichten (211, 212) angeordnet ist, wobei deren Dicke so gewählt ist, dass ein Stromfluss entlang des Normalenvektors der durch die genannten Schichten (21, 211, 212, 22, 23) definierten Ebene ermöglicht wird. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes.