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Patent
Title
Ferroelektrische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle
Other Title
Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell
Abstract
Ferroelektrische Halbleitervorrichtung mit einer Speicherzelle, mit einer ferroelektrischen Speicherschicht und einer ersten leitfähigen Schicht, die an der ferroelektrischen Speicherschicht angeordnet ist; und einer Halbleitervorrichtung, die mit der Speicherzelle verbunden ist. Die ferroelektrische Speicherschicht der Speicherzelle kann einen Mischkristall mit einem Gruppe-Ill-Nitrid und einem nicht Gruppe-Ill-Element aufweisen.
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The invention relates to a ferroelectric semiconductor device comprising: a memory cell having a ferroelectric memory layer and a first conductive layer arranged on the ferroelectric memory layer; and a semiconductor device connected to the memory cell. The ferroelectric memory layer of the memory cell can comprise a mixed crystal including a group-III nitride and a non-group-III element.
Inventor(s)
Patent Number
102018212736
Publication Date
2020
Language
German