Schutzstruktur fuer Halbleitersensoren

(A1) Eine Schutzstruktur (100) fuer einen in einem Halbleitersubstrat (110) integrierten Halbleitersensor (120) zur Verwendung in einem mit einem Messmedium (130) in direktem Kontakt stehenden Zustand weist eine halbleitende Schicht (270), die auf das Halbleitersubstrat (110) aufgebracht ist, eine Metallschicht (240c) und eine Isolatorschicht (280) auf. Die Isolatorschicht (280) ist zwischen der halbleitenden Schicht (270) und der Metallschicht (240c) angeordnet und isoliert dieselbe elektrisch.

DE 102006052863 A1 UPAB: 20080615 NOVELTY - The protection structure (100) has a metallic layer and a semiconducting layer, which is attached on a semiconductor substrate (110). An insulating layer is arranged between the semiconducting layer and the metallic layer, and electrically insulates the semiconducting layer and the metallic layer. The metallic layer has a side, which is turned away from the insulating layer for bringing the side over a protective layer or directly in contact with a measuring medium (130). The protective layer has an oxide layer. USE - Protection structure for protecting a semiconductor sensor i.e. ion-sensitive field-effect transistor sensor, before an electrostatic unloading. ADVANTAGE - The insulating layer electrically insulates the semiconducting layer and the metallic layer, thus avoiding damages and/or destructions of the semiconductor sensor, even when the sensor stands in a direct contact with the measuring medium. The protection structure is monolithically integrated in a close spatial connection to the semiconductor sensor in the substrate.