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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Verfahren zum Abscheiden von Karbidschichten hochschmelzender Metalle
 
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Patent
Title

Verfahren zum Abscheiden von Karbidschichten hochschmelzender Metalle

Other Title
Depositing carbide layers of a high melting point metal on an object comprises producing a carbon-containing atmosphere in a vacuum chamber by introducing a reactive gas, vaporizing the metal and depositing using a plasma.
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus Karbiden mindestens eines hochschmelzenden Metalls (3) auf mindestens einem Objekt (8) mittels Hochrate-Elektronenstrahlbedampfung in einer Vakuumkammer (1), wobei in der Vakuumkammer (1) durch Einlass eines Reaktivgases eine kohlenstoffhaltige Atmosphaere erzeugt wird; das hochschmelzende Metall (3) mittels eines Elektronenstrahls (5) verdampft wird; das Abscheiden von einem Plasma unterstuetzt wird, wobei das Plasma mittels diffuser Bogenentladung auf der Oberflaeche des zu verdampfenden hochschmelzenden Metalls (3) erzeugt wird; die Beschichtungsrate mindestens 20 nm/s betraegt und die Objekttemperatur waehrend des Abscheidens zwischen 50°C und 500°C gehalten wird.

; 

DE1004019169 A UPAB: 20051222 NOVELTY - Depositing carbide layers of a high melting point metal (3) on an object comprises producing a carbon-containing atmosphere in a vacuum chamber (1) by introducing a reactive gas, vaporizing the metal using an electron beam (5) and depositing using a plasma which is produced on the surface of the metal to be vaporized using a coating rate of at least 20 nm/s and an object temperature of 50-500 deg. C. USE - For components requiring high corrosion protection. ADVANTAGE - The carbide layers have high strength and corrosion protection.
Inventor(s)
Heinss, J.
Scheffel, B.
Metzner, C.
Kirchhoff, V.
Tenbusch, M.
Link to Espacenet
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=102004019169A
Patent Number
102004019169
Publication Date
2005
Language
German
Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik FEP  
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