Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten (10), welche TCO enthalten oder daraus bestehen, auf zumindest einem Substrat (1), wobei zumindest ein sich in einem Gefäß (4) befindliches Ausgangsmaterial (40) in einer Vakuumkammer (20) verdampft wird, wobei in dem Gefäß die Bestandteile der Schicht (10) in stöchiometrischem Verhältnis vorliegen und die vom Gefäß (4) aufsteigenden Partikel (45) vor dem Abscheiden auf dem Substrat (1) eine Plasmazone (35) durchdringen.

The invention relates to a method for depositing thin layers (10), which contain or consist of TCO, onto at least one substrate (1), wherein at least one starting material (40) arranged in a container (4) is evaporated in a vacuum chamber (20), the components of the layer (10) being in a stoichiometric ratio and the particles (45) rising from the container (4) prior to depositing on the substrate (1) penetrate a plasma zone (35).