Leistungsschaltung mit einer integrierten CMOS- oder Bipolar-Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung

Bei einer Leistungsschaltung mit integrierter CMOS- oder Bipolar-Schaltung, die auf einer durch eine vergrabene Isolationsschicht isolierten Halbleiterinsel angeordnet ist, wird eine verbesserte Spannungsfestigkeit bei geringerem Uebersprechen dadurch erreicht, dass die vergrabene Isolationsschicht in einem Halbleiterbereich liegt, dessen Dotierung entgegengesetzt zu der des an den Halbleiterbereich angrenzenden Halbleitermaterials ist.