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Title

Halbleiterbauelement mit einer Passivierungsschicht aus hydriertem Aluminiumnitrid sowie Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Halbleiterbauelementen

Date Issued
2014
Author(s)
Wolke, Winfried
Wagner, Florian
Krugel, Georg
Patent No
102012016298
Abstract
The invention relates to a semi-conductor component comprising a base emitter, electric contacts and at least one passivation layer which is made of hydrogenated aluminum nitride or contains essentially said latter. The invention also relates to a corresponding method for the surface passivation of semi-conductor components.
Language
Deutsch
Institute
ISE
Link
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=102012016298A1
Patenprio
DE 102012016298 A1: 20120816
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