Metalloxid-Halbleitergassensor und Verfahren zu seiner Herstellung

Es wird ein Metalloxid-Halbleitergassensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorgeschlagen, wobei der Sensor aus einer auf einem Substrat aufgebrachten sensoraktiven Metalloxid-Duennschicht besteht, die mit mindestens einer Elektrode in Kontakt ist. Die sensoraktive Metalloxid-Duennschicht ist als Chrom-Titan-Oxid-(CTO)Schicht ausgebildet, die eine Schichtdicke von 10 nm bis 1 ?m aufweist. Die Chrom- und Titanschichten werden mittels Duennschichttechniken uebereinander aufgebracht und anschliessend getempert.

WO2003023387 A UPAB: 20030516 NOVELTY - A metal oxide semiconductor gas sensor comprises a sensor-active metal oxide thin layer applied on a substrate and in electrical contact with at least one electrode. The metal oxide thin layer is a chromium-titanium oxide layer having a layer thickness of 10 nm to 1 microns m. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for the production of a metal oxide semiconductor gas sensor comprising coating a substrate with chromium and titanium layers having a layer thickness of 2-200 nm and tempering. Preferred Features: The thickness of the chromium-titanium oxide layer is 100-500 nm. The chromium-titanium oxide layer has a corundum structure with up to 40 at.% titanium in the cation sub-lattice. The substrate is made from sapphire, silicon, Al2O3 or quartz glass. USE - Used for detecting particles in air. ADVANTAGE - The sensor is accurate.