Verfahren zum zumindest bereichsweisen Einebnen einer Textur einer Halbleiterstruktur

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum zumindest bereichsweisen Einebnen einer Textur an Halbleiterstruktur, welche Halbleiterstruktur eine photovoltaische Solarzelle oder eine Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Solarzelle ist, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Erzeugen einer Textur auf einer ersten, bei Benutzung der Solarzelle der einfallenden Strahlung zugewandten Seite und auf einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite der Halbleiterstruktur; B. Entfernen der Textur durch Einebnen der zweiten Seite in einem Einebnungsbereich, welcher Einebnungsbereich zumindest ein Teilbereich der zweiten Seite ist; welches dadurch gekennzeichnet ist, dass in Verfahrensschritt B das Einebnen durch Aufschmelzen zumindest des Einebnungsbereiches erfolgt.

The method involves forming a texture on side portion (2) facing the incident radiation side of the solar cell. The side portion (2) is faced opposite to the side portion (3) of the semiconductor structure (1). The texture is removed by flattening the smoothing-out region of the side portion (3). The laser beam (4) of the light source is moved approximately perpendicularly to the longitudinal extension of the beam cross section on the smoothing-out region.