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Patent
Title
Plasmaaetzvorrichtung und Verfahren zum Betrieb
Other Title
Plasma etching device and process for its application
Abstract
Eine Plasmaaetzvorrichtung, die insbesondere zum Trockenaetzen eines Wafers dient, erzielt mittels einer Vorrichtung zum Erzeugen einer stehenden Schallwelle in dem Plasma eine erhoehte Aetzrate bei erhoehter Anisotropie.
Inventor(s)
Janes, J.
Patent Number
1989-3900768
Publication Date
1990
Language
German