Verfahren zur Erzeugung von Submikrometer-Strukturen an einer ausgepraegten Topographie

(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Submikrometerstrukturen auf einer Topographie, insbesondere auf einer Topographie mit Erhebungen, die ein Aspektverhaeltnis u 1 aufweisen. Bei dem Verfahren wird eine Schichtfolge mit mindestens einer oberen Maskierungsschicht und einer darunter liegenden zu strukturierenden Schicht so auf die Topographie aufgebracht, dass sie die Topographie gleichmaessig bedeckt. Die Maskierungsschicht und die zu strukturierende Schicht werden so gewaehlt, dass die zu strukturierende Schicht selektiv zur Maskierungsschicht aetzbar ist. Mit einem Energiestrahl wird zunaechst wenigstens eine Oeffnung mit Submikrometerabmessungen in die Maskierungsschicht eingebracht und die zu strukturierende Schicht anschliessend durch die wenigstens eine Oeffnung hindurch zur Erzeugung der Submikrometerstruktur selektiv geaetzt. Die Maskierungsschicht wird dann entfernt. Das Verfahren laesst sich kostenguenstig durchfuehren und ermoeglicht eine zuverlaessige und reproduzierbare Herstellung von Strukturen im Submikrometerbereich, ohne das Substrat oder die Topographie zu schaedigen.

DE 102007056992 A1 UPAB: 20090609 NOVELTY - The method involves forming a layer sequence on a topography i.e. substrate (1) with an elevation (1a), for covering the substrate, where the sequence has a lower layer, a layer to be structured e.g. dielectric layer, and an upper masking layer. The layers are selected such that the layer to be structured is selectively etched towards the masking layer. An opening with sub micrometer dimensions is formed in the masking layer using energy beam. The structured layer is selectively etched through the opening for producing a submicrometer structure. The masking layer is removed afterwards. USE - Method for producing submicrometer structures on a topography i.e. substrate, for structuring of scanning or probe tips for micro or nano-technology (all claimed). Can also be used for a microelectromechanical system (MEMS), a nanoelectromechanical system (NEMS) and a nanooptical and electromechanical system (NOEMS). ADVANTAGE - The method enables reliable, economical and reproducible production of structures in the submicrometer range without damaging the substrate or the topography. The structuring of the masking layer using the energy beam increases the accuracy and reduces the structure size.